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	激励电平对晶体的影响 [ 2008-10-24 ]
	所有晶体元件的频率都在一定程度上随激励电平变化而变化(微量变化)，一般来说，AT切晶体的频率会随激励电平增大而略有升高。过高的激励电平会导致谐振器温度特性的畸变，并激活寄生模。过高的激励使晶体发热和应力过大，从而产生不可逆的频率漂移。　　非常低的激励电平（数微瓦或更低）下，晶体元件的谐振电阻可能比在额定激励电平下电阻值高很多，以致使振荡器越振越困难。这种效应经过一段非工作状态的贮存后会加剧，这就是激励电平相关性（DLD）。因此，晶体在电路中实际使用的激励电平不应过大和过小。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　--转自烟台晶友软件

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